伴隨著Daydream的到來，移動(dòng)VR漸入佳境，新旗正有條不紊的艦驍合肥外圍（外圍預(yù)約）外圍外圍上門外圍女（電話微信189-4469-7302）提供高端外圍上門真實(shí)靠譜快速安排不收定金見人滿意付90分鐘內(nèi)到達(dá)沿著一條正確的道路向前邁進(jìn)。不過，動(dòng)VR帶還有幾個(gè)難題在嚴(yán)重桎梏著它的變革發(fā)展，比如運(yùn)算性能、高通公布給移比如功耗控制。新旗而且這些難題顯然不是艦驍VR公司能夠解決的，這還得需要上游芯片廠商從源頭改進(jìn)。動(dòng)VR帶

現(xiàn)在好消息終于來了，樂觀點(diǎn)估計(jì)，高通公布給移明年的新旗移動(dòng)VR不僅性能更強(qiáng)，功耗控制的艦驍合肥外圍（外圍預(yù)約）外圍外圍上門外圍女（電話微信189-4469-7302）提供高端外圍上門真實(shí)靠譜快速安排不收定金見人滿意付90分鐘內(nèi)到達(dá)更好，同時(shí)“充電5分鐘體驗(yàn)2小時(shí)”這種此前想都不敢想的動(dòng)VR帶事情，或許也能實(shí)現(xiàn)。變革

昨天晚上，高通正式公布了全新旗艦款處理器驍龍835，其將采用三星10nm LPE（low-power early，早起低功耗版本）FinFET工藝，相較于14nm FinFET工藝的驍龍820/821，在體積方面將縮小30%以上，功耗降低40%的情況下，性能提升27%。制程工藝從此由14nm邁入嶄新的10nm時(shí)代，這是一個(gè)相當(dāng)不錯(cuò)的開始。

高通正式宣布新旗艦驍龍835事實(shí)上，就智能手機(jī)而言，主流處理器的性能足以滿足絕大部分使用需求，甚至可以說過剩，比如說我們自己或者總有些朋友還在使用搭載驍龍805或者810這些型號(hào)處理器的手機(jī)產(chǎn)品，但完全是夠用的。這跟Intel或者AMD的主流桌面級(jí)處理器的狀態(tài)很相似，運(yùn)算性能早已不是大問題。不過，在移動(dòng)VR興起之后，對(duì)處理器的運(yùn)算性能提出了更高的要求，也讓像高通這樣的上游芯片廠商有足夠的動(dòng)力去研發(fā)更優(yōu)秀的產(chǎn)品。更強(qiáng)的運(yùn)算性能意味著可以運(yùn)行更復(fù)雜的游戲或者應(yīng)用，更好的功耗控制則預(yù)示著更長的續(xù)航時(shí)間和更好的發(fā)熱控制。

當(dāng)然，高通驍龍835帶給移動(dòng)VR的變革還不僅于此，別忘了，還有最新的快速充電技術(shù)——QC（Quick Charge）4.0。

按照高通官方的說法，QC 4.0加入了Dual Charge技術(shù)，相比QC 3.0來說，充電速度可提升20%，效率則能提升30%。高通產(chǎn)品管理高級(jí)副總裁Alex Katouzian也表示，QC 4.0能在大約15分鐘或更短時(shí)間內(nèi)，充入高達(dá)50%的電池電量。不僅如此，QC 4.0還加入了最佳電壓智能協(xié)商電源管理算法(INOV)，能夠在既定的散熱條件下，自主確定并選擇最佳的電力傳輸水平，從而優(yōu)化充電。

另一方面，QC 4.0能在更準(zhǔn)確地測(cè)量電壓、電流和溫度的同時(shí)，保護(hù)電池、系統(tǒng)、線纜和連接器。防止電池過度充電，并在每個(gè)充電周期調(diào)節(jié)電流。

為了配合QC 4.0，高通還推出了最新的電源管理芯片SMB1380和SMB1381。SMB1380和SMB1381具有低阻抗、高達(dá)95%的峰值效率和先進(jìn)的快充特性(例如電池差分感知)，可經(jīng)由任何5V USB Type-C或高壓電源通過高度不到0.8毫米的充電解決方案組合，為超薄的移動(dòng)終端提供最快的電池充電。更好的消息在于，SMB1380/1381電源管理芯片預(yù)計(jì)在今年年底之前就開始提供。

高通并沒有公布更多驍龍835處理器的細(xì)節(jié)，但卻表示，目前這款處理器已經(jīng)投入生產(chǎn)，預(yù)計(jì)將會(huì)在2017年上半年正式上市。不出意外的話，驍龍835將會(huì)成為明年上半年Android旗艦手機(jī)的標(biāo)配。至于哪家廠商能夠拔得頭籌，或許不久之后的CES以及MWC上就能有點(diǎn)眉目。當(dāng)然，我們更關(guān)注哪家VR一體機(jī)廠商會(huì)率先推出基于高通驍龍835解決方案的新品。

高通新旗艦驍龍835處理器

對(duì)于手機(jī)而言，“充電5分鐘，通話2小時(shí)”這句耳熟能詳?shù)膹V告詞，在明年可能會(huì)升級(jí)成“充電5分鐘，通話5小時(shí)”。而對(duì)于移動(dòng)VR來說，充電5分鐘體驗(yàn)2小時(shí)，也將邁出從“完全不可能”到“很有可能”的重要一步。

最后，簡單總結(jié)一下，高通全新驍龍835處理器會(huì)給移動(dòng)VR帶來的變革。

1、更強(qiáng)的運(yùn)算性能，更多大型復(fù)雜場(chǎng)景的內(nèi)容將出現(xiàn)在移動(dòng)VR上面，移動(dòng)VR和PC VR/主機(jī)VR在體驗(yàn)上的差距將被拉近;

2、更好的功耗控制，不管是續(xù)航問題，還是發(fā)熱問題，都能得到更好的解決(對(duì)VR一體機(jī)而言，沒準(zhǔn)被動(dòng)式散熱方案會(huì)全面取代主動(dòng)式散熱方案);

3、更高效的充電，這意味著不用過分擔(dān)心因?yàn)轶w驗(yàn)VR而讓手機(jī)迅速掉電，從而導(dǎo)致暫時(shí)無法使用的尷尬，對(duì)于VR一體機(jī)來說，將在很大程度上緩解充電等待時(shí)間過長的問題;

4、其他方面的驚喜，或許還會(huì)有基于VR的更多優(yōu)化，我們不妨耐心等待高通公布更多的細(xì)節(jié)。

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